參考博客：
Flash、RAM、ROM的區(qū)別 - 程序員大本營
RAM、ROM和FLASH三種常見存儲器類型介紹
RAM、RAM和RAM的區(qū)別解讀 - 百度文庫
內(nèi)存
RAM中文名稱，隨機存取存儲器。 之所以稱為隨機存取存儲器，是因為當數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭隦AM時，所花費的時間與信息所在的位置或?qū)懭氲奈恢脽o關(guān)。
特點：速度最快，斷電數(shù)據(jù)丟失，容量小，價格昂貴。
RAM分為兩類：SRAM和DRAM。
具體包括SRAM、DRAM、SDRAM、、和。
SRAM是靜態(tài)（S指）RAM。 靜態(tài)是指不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會丟失。 SRAM的速度非常快，是目前讀寫速度最快的存儲設(shè)備。
DRAM是動態(tài)RAM。 動態(tài)意味著數(shù)據(jù)需要每隔一段時間刷新一次。 它可以保存數(shù)據(jù)，速度比SRAM慢，但仍然比任何ROM都快。
SDRAM是同步（S指）DRAM。 同步是指顯存的工作需要同步時鐘，內(nèi)部命令發(fā)送和數(shù)據(jù)傳輸都是基于它的。
DDR、DDR2、DDR3都屬于SDRAM。 DDR的意思是三指同系列的三代，速度更快，容量更大，幀率更低。 現(xiàn)在發(fā)布了DDR4，也是同一系列。
只讀存儲器
ROM的中文名稱是Read-Only，只讀存儲器。 正常使用時其上的數(shù)據(jù)只能讀取不能寫入，存儲速度不如RAM。 （不過根據(jù)描述，還是可以改的，為此，這句話應該改為“不能隨便寫”。）
特點：斷電不丟失數(shù)據(jù)、容量大、價格實惠。
ROM分類三類：PROM、EPROM和。
PROM：（P指）可編程ROM，可根據(jù)用戶需要，寫入內(nèi)容，且只能寫入一次，不能更改。
EPROM：PROM的升級版，可以多次編程和修改，只能用紫外光擦除。
：升級版，可多次編程修改，可電擦除。
閃光
FLASH存儲器又稱閃存，結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點。 除了具有電可擦除和可編程的性能（這是最好的優(yōu)點）之外，它在斷電時不會丟失數(shù)據(jù)（這是最好的優(yōu)點），并且可以快速讀取數(shù)據(jù)（這是RAM的優(yōu)點） ）。
特點：斷電不丟失數(shù)據(jù)、容量大、價格實惠。
FLASH存儲器分為和。
的讀取速度比快，價格也比高。 應用程序可以直接在 中運行，無需將代碼讀入系統(tǒng) RAM。
的讀取速度比慢，價格比低，存儲顆粒密度比高。 它可以用作大數(shù)據(jù)的存儲，但應用程序不能直接在中運行。
FLASH存儲是一種塊設(shè)備。 有塊（Block）和頁（Track）兩個概念。
互聯(lián)網(wǎng)資源摘要
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我明白。
1、近20年來，嵌入式系統(tǒng)仍然采用ROM（EPROM）作為其存儲設(shè)備，但近年來，F(xiàn)lash在嵌入式系統(tǒng)中已經(jīng)完全取代了ROM（EPROM），用于存儲和操作系統(tǒng)的程序代碼或直接用作一個硬盤。
2、FLASH屬于廣義上的ROM。 FLASH與ROM最大的區(qū)別在于，F(xiàn)LASH按照磁道（或“頁”）進行操作，以塊為單位進行擦除，以字節(jié)為單位進行操作和擦除。 這簡化了電路，從而提高了數(shù)據(jù)密度并增加了成本。 目前M上的ROM一般都是FLASH。
3、和的關(guān)系和區(qū)別如上所述。 至于和iNand的關(guān)系，可以這樣理解，iNand、SD卡、MMC卡等，都是以為原材料，遵守一些合同，添加封裝和插座，配合使用的特點，屬于類別。 有哪些常用的產(chǎn)品？ 由于容量較小，日常生活中似乎很少見到。 它通常用在開發(fā)板上作為啟動介質(zhì)，因為代碼程序可以直接在上運行。
4. FLASH存儲是一種塊設(shè)備。 有塊（Block）和頁（Track）兩個概念。
5、傳統(tǒng)的機械硬盤（HHD）是一種基于磁原理存儲數(shù)據(jù)的設(shè)備。 如今的固態(tài)硬盤 (SSD) 似乎是基于 和 DRAM。
6、U盤也是FLASH類型的存儲，應該也是以NAND FLASH為主。
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